当前位置:首页 >新闻中心

电极电极 软断软断

电极电极 软断软断

�����������[randpic]
  • 矿热炉电极的硬断与软断处理 - 知乎

    二:电极软断的处理. 电极在未烧成的部分发生断裂称为软断。电极软断的原因有电极欠烧时不恰当地下方电极,或由于电极抱紧设施失灵造成电极下滑。当铜瓦与未烧成的电极接 2019年6月11日  (1)软断. 原因:电极软断是指断口在尚未焙烧好的部位。电极软断的原因主要有: ①电极壳焊接不好,使焊缝的导电面积减小,电流密度大。 ②电极流糊未及时 电极软断、硬断、流糊的原因及处理方法分别是什么 ...电极软断的原因大致可以分为以下几点: 1.电极糊的质量不合格,灰分高,挥发份过大,软化点高。 灰分高时,电极易分层造成局部电流承受较弱以致电流刺破电极筒造成漏糊,不 关于电极软断的认识 - 百度文库

  • [randpic]
  • 镍铁矿热炉电极软断的案例分析及预防措施 - 百度文库

    近些年来,镍铁矿热炉时有发生电极软断事故,电极往往是从把持器铜瓦下沿附近200-500mm处断裂,断裂长度一般约3-3.8m,因矿热炉容量不同而差异较大;软断是镍铁矿热 1.发现电极软断或流糊,必须立即停电,不准提升该相电极,应开大风量,减少铜瓦冷却水量1/2~1/3,以防液体电极糊全部流入炉内。 2.电极的固体部分已折断但未倒下,应立即用 为什么产生电极软断,如何处理?-安阳金晟冶金材料 ...一、电石炉电极软断、硬断的原因分析 1.电石炉电极软断的原因分析 电极的烧结速度低于消耗速度,未烧成的电极放下后就会造成电极软断,炉面操作人员不及时疏散可造成烫伤 电石炉电极软断、硬断原因分析及对策措施 - 百度文库(2)电极折断的原因通常电极发生折断的机率较低,发生电极折断主要有以下几个方面的原因:电极螺孔有质量缺陷;电极的体积密度和强度不够;电极与接头指标、加工精度不匹 石墨电极折断的解决方案 - 知乎一、电极软断原因: 下列操作容易造成电极软断事故: 1. 电极一次性下放太长。且下放后电流负荷给的较大。 2. 电极下放不好,多次下放,造成电极桶拉裂流糊。 3. 下跟电极超过 电极软、硬断事故应急预案 - 百度文库

  • ����������
  • CN1391249A - 电子枪电极构架 - Google Patents

    CN1391249A CN02121815A CN02121815A CN1391249A CN 1391249 A CN1391249 A CN 1391249A CN 02121815 A CN02121815 A CN 02121815A CN 02121815 A CN02121815 A CN 02121815A CN 1391249 A CN1391249 A CN 1391249A Authority CN China Prior art keywords hole electrode aforementioned electron beam datum Prior art CN101515597B CN2008101494272A CN200810149427A CN101515597B CN 101515597 B CN101515597 B CN 101515597B CN 2008101494272 A CN2008101494272 A CN 2008101494272A CN 200810149427 A CN200810149427 A CN 200810149427A CN 101515597 B CN101515597 B CN 101515597B Authority CN China Prior art keywords CN101515597B - 半导体装置 - Google Patents本发明在fwd内置型的绝缘栅型晶体管中改善二极管动作中的恢复特性,在每个igbt单元中,形成阱状的p基区层2 ...CN100428490C - 绝缘栅型晶体管以及逆变器电路 - Google Patents

  • ����

    CN102321901B - 一种提高n ... - Google Patents

    本发明公开了一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法。该方法的步骤如下:将电化学沉积制备所得的n ...

    Get Price
    �����������[randpic]
  • CN111446623A - 一种三端式s型环形量子级联激光器 - Google ...

    本发明公开了一种三端式s型环形量子级联激光器,该激光器包括由下至上依次设置的衬底、集电极、量子级联结构层 ...A fine particles separation treatment system includes a storage tank for storing a solution, a solution circulating passage for circulating the solution stored in the storage tank, and a cyclone-type centrifugal separation device disposed in the solution circulating passage for separating the fine particles in the solution. The cyclone-type centrifugal separation TWI262815B - Fine particles separation treatment system and Download PDF Info Publication number CN111446623B. CN111446623B CN202010124410.2A CN202010124410A CN111446623B CN 111446623 B CN111446623 B CN 111446623B CN 202010124410 A CN202010124410 A CN 202010124410A CN 111446623 B CN202010124410.2A CN202010124410A CN111446623B CN 111446623 CN111446623B - 一种三端式s型环形量子级联激光器 - Google ...

  • [randpic]
  • CN110592614B ... - Google Patents

    CN110592614B CN201910921451.1A CN201910921451A CN110592614B CN 110592614 B CN110592614 B CN 110592614B CN 201910921451 A CN201910921451 A CN 201910921451A CN 110592614 B CN110592614 B CN 110592614B Authority CN China Prior art keywords electrode dimensional self supporting copper alloy Prior art date 2019 CN101378073A CNA2008102153059A CN200810215305A CN101378073A CN 101378073 A CN101378073 A CN 101378073A CN A2008102153059 A CNA2008102153059 A CN A2008102153059A CN ...CN101378073A - 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 - Google PatentsCN101894689A CN 201010236359 CN201010236359A CN101894689A CN 101894689 A CN101894689 A CN 101894689A CN 201010236359 CN201010236359 CN 201010236359 CN 201010236359 A CN201010236359 A CN 201010236359A CN 101894689 A CN101894689 A CN 101894689A Authority CN China Prior art keywords quantum dot CN101894689A ... - Google Patents2021年12月1日  半导体装置(2)包括第一和第二半导体元件(3、5)和第一和第二导电构件(10、29)。第一半导体元件上的第一电极(3a ...CN105575937A - 半导体装置和用于半导体装置的制造方法 ...本发明提供了一种适用于高效电催化的聚氰胺复合物电极及其制备方法,在泡沫镍基底上原位生长银耳状的NiFeO x H y ‑pMel材料 ...CN109112570B ... - Google Patents

  • ����������
  • CN1030207C - 银-或银-铜合金 ... - Google Patents

    CN1030207C - 银-或银-铜合金-金属氧化物复合材料及其生产方法 - Google Patents 银-或银-铜合金-金属氧化物复合材料及其生产方法CN112405351B CN202011229246.8A CN202011229246A CN112405351B CN 112405351 B CN112405351 B CN 112405351B CN 202011229246 A CN202011229246 A CN 202011229246A CN 112405351 B CN112405351 B CN 112405351B Authority CN China Prior art keywords grinding wheel ultrasonic linear motor machining electrode Prior art CN112405351B - 一种复合结合剂砂轮修整装置及方法 ...CN100487910C CNB2005100525585A CN200510052558A CN100487910C CN 100487910 C CN100487910 C CN 100487910C CN B2005100525585 A CNB2005100525585 A CN B2005100525585A CN 200510052558 A CN200510052558 A CN 200510052558A CN 100487910 C CN100487910 C CN 100487910C Authority CN China Prior art keywords CN100487910C - 异质结双极型晶体管及其制造方法 - Google ...

  • ����

    CN104221152B - 半导体装置以及半导体装置的制造方法 ...

    CN104221152B CN201380018951.5A CN201380018951A CN104221152B CN 104221152 B CN104221152 B CN 104221152B CN 201380018951 A CN201380018951 A CN 201380018951A CN 104221152 B CN104221152 B CN 104221152B Authority CN China Prior art keywords type region conductive depth thermal diffusion Prior art date 2012-07

    Get Price
    �����������[randpic]
  • CN100485957C - 半导体器件 - Google Patents

    本发明的课题是,提供可同时改善igbt的工作和逆向导通功能这两者的特性的半导体器件。该半导体器件(1a)包括:在n-外延层(5 ...

  • [randpic]
  • ����������
  • ����

      全系产品

      PRODUCTOS